工业硅铜含量原吸检测

检测项目

铁含量、铝含量、钙含量、镁含量、钛含量、锰含量、镍含量、铬含量、锌含量、铅含量、镉含量、砷含量、锑含量、铋含量、锡含量、钴含量、钒含量、钼含量、钠含量、钾含量、磷含量、硫含量、硼含量、碳含量、氧含量、氮含量、氢含量、氯含量、氟含量、总金属杂质

检测范围

冶金级工业硅块、太阳能级多晶硅锭、电子级单晶硅棒、硅铝合金原料、有机硅合成原料、半导体晶圆废料、光伏切片废料、铸造用硅砂颗粒、冶金炉渣样品、硅碳合金粉末、硅钙合金颗粒、金属硅粉体材料、硅基复合材料预制体、硅橡胶母料颗粒、硅树脂中间体溶液、硅溶胶分散体系、硅酸盐矿物标本、高纯石英砂原料、晶体生长用籽晶片、多晶铸锭炉内壁沉积物、Czochralski单晶炉残余物、流化床反应器产物颗粒区熔提纯中间体

检测方法

1.火焰原子吸收光谱法（FAAS）：采用空气-乙炔火焰原子化系统，适用于0.001%-0.1%浓度范围的铜元素测定。样品经氢氟酸-硝酸混合酸消解后，选择324.7nm特征谱线进行定量分析。

2.石墨炉原子吸收光谱法（GFAAS）：通过电热程序升温实现痕量铜的原子化检测，检出限可达0.00001%。需使用基体改进剂消除硅基体干扰。

3.电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）：多元素同步测定技术，配合微波消解前处理系统完成复杂基体样品中0.5-50ppm铜含量的快速分析。

4.X射线荧光光谱法（XRF）：非破坏性分析方法适用于固体样品表面铜分布的半定量筛查。

检测标准

GB/T14849.4-2014工业硅化学分析方法第4部分：铜含量的测定
ISO16962:2017表面化学分析-辉光放电发射光谱法测定金属涂层中的铜
ASTME1835-14火焰原子吸收光谱法分析镍合金的标准试验方法
JISH1613:2021钛及钛合金中杂质元素的测定方法
DINEN13615:2002锡锭化学分析方法-原子吸收光谱法测杂质元素
GB/T4336-2016碳素钢和中低合金钢火花源原子发射光谱分析方法
ISO11885:2007水质-电感耦合等离子体发射光谱法测定62种元素
SN/T3323.4-2018进出口工业硅化学分析方法第4部分：铜的测定
YS/T1098-2016晶体硅光伏组件用焊带化学分析方法
GB/T24582-2021多晶硅表面金属杂质含量的测定酸浸取-电感耦合等离子体质谱法

检测仪器

1.原子吸收光谱仪：配备铜元素空心阴极灯和背景校正系统，火焰/石墨炉双模式配置满足不同浓度需求

2.微波消解仪：采用四氟乙烯密闭罐体实现高温高压酸解过程

3.等离子体发射光谱仪：配备径向观测系统和CCD检测器

4.X射线荧光光谱仪：配置铑靶X光管和SDD探测器

5.超纯水制备系统：提供18.2MΩcm电阻率的实验用水

6.精密电子天平：0.1mg精度满足微量称样需求

7.马弗炉：最高温度1200℃用于灰化预处理

8.超声波清洗器：40kHz频率辅助溶解难溶物质

检测服务范围

1、指标检测：按国标、行标及其他规范方法检测

2、仪器共享：按仪器规范或用户提供的规范检测

3、主成分分析：对含量高的组分或你所规定的某种组分进行5~7天检测。

4，样品前处理：对产品进行预处理后，进行样品前处理，包括样品的采集与保存，样品的提取与分离，样品的鉴定以及样品的初步分析，通过逆向剖析确定原料化学名称及含量等共10个步骤;

5、深度分析：根据成分分析对采购的原料标准品做准确的定性定量检测，然后给出参考工艺及原料的推荐。最后对产品的质量控制及生产过程中出现问题及时解决。

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