高纯度单晶硅片检测

检测项目

纯度检测：分析硅片中杂质元素浓度。具体检测参数包括铁、铜等金属含量，检测限1ppb。

晶体缺陷检测：识别位错和堆垛层错。具体检测参数为缺陷密度，范围10^2~10^6cm^{-2}。

表面粗糙度：测量表面平整度。具体检测参数为平均粗糙度Ra值，范围0.1~10nm。

电阻率：测定电学特性。具体检测参数范围1~100Ω·cm，精度±1%。

载流子寿命：评估电荷载流子存活时间。具体检测参数为寿命值，单位微秒，范围1~1000μs。

氧含量：测量氧原子浓度。具体检测参数范围5~20ppma，检测限0.1ppma。

碳含量：分析碳杂质水平。具体检测参数检测限0.1ppma。

几何尺寸：包括厚度和直径测量。具体检测参数厚度误差±1μm，直径误差±0.1mm。

表面污染物：检测颗粒和有机物残留。具体检测参数颗粒尺寸>0.1μm，数量密度<100个/cm^2。

机械强度：评估抗弯性能。具体检测参数为断裂强度，范围50~200MPa。

检测范围

半导体晶圆：集成电路制造的基础材料。

太阳能电池硅片：光伏能源转换的关键组件。

光电子器件基板：用于LED和激光二极管生产。

传感器材料：压力或温度传感器的核心部分。

MEMS器件：微机电系统结构基材。

功率器件：如绝缘栅双极晶体管基板。

研究用样品：实验室分析材料。

回收硅片：废料提取的硅片检测。

掺杂硅片：硼或磷掺杂的硅片应用。

外延片：带有外延生长层的硅片。

检测标准

ASTMF1241：硅片电阻率测试标准。

ISO14644-1：洁净室粒子计数规范。

GB/T2828：抽样检验程序。

ISO10121：表面粗糙度测量方法。

GB/T1410：体积电阻率测试标准。

ASTMF1526：硅片几何尺寸规范。

ISO16269：统计分析方法。

GB/T5000：硅材料化学分析标准。

ASTME112：晶粒度测定方法。

ISO13322：粒子分析标准。

检测仪器

四探针电阻测试仪：测量硅片电阻率。功能：通过四点接触法直接测定薄层电阻值。

X射线衍射仪：分析晶体结构。功能：检测晶格畸变和缺陷密度。

表面粗糙度测试仪：评估表面形貌。功能：使用触针或光学方法测定Ra参数。

辉光放电质谱仪：高灵敏度杂质分析。功能：检测ppb级别金属杂质浓度。

扫描电子显微镜：观察表面微观结构。功能：高分辨率成像表面缺陷和污染物。

傅里叶变换红外光谱仪：测量氧碳含量。功能：通过吸收光谱分析杂质水平。

激光扫描显微镜：三维表面测量。功能：非接触式轮廓分析表面粗糙度。

载流子寿命测试仪：评估电荷寿命。功能：通过光电导衰减法测定载流子存活时间。

万能材料试验机：测试机械强度。功能：施加弯曲力测量断裂点强度。

粒子计数器：检测表面颗粒。功能：自动计数和尺寸分析污染物。

检测服务范围

1、指标检测：按国标、行标及其他规范方法检测

2、仪器共享：按仪器规范或用户提供的规范检测

3、主成分分析：对含量高的组分或你所规定的某种组分进行5~7天检测。

4，样品前处理：对产品进行预处理后，进行样品前处理，包括样品的采集与保存，样品的提取与分离，样品的鉴定以及样品的初步分析，通过逆向剖析确定原料化学名称及含量等共10个步骤;

5、深度分析：根据成分分析对采购的原料标准品做准确的定性定量检测，然后给出参考工艺及原料的推荐。最后对产品的质量控制及生产过程中出现问题及时解决。

合作客户展示

部分资质展示