辉光放电质谱深度分析

检测项目

痕量及超痕量杂质元素分析：可对材料中浓度低至ppb（十亿分之一）甚至ppt（万亿分之一）级别的杂质元素进行定性和定量分析。

主量及次量元素成分测定：准确测定材料中主要组成元素及含量较高的次要元素的浓度及其深度分布。

深度方向元素分布剖析：获取从样品表面到内部，元素浓度随深度变化的连续剖面信息，用于分析镀层、掺杂层等。

多层薄膜结构表征：对半导体器件、光学镀膜等中的多层薄膜结构进行逐层分析，确定各层厚度及元素组成。

掺杂浓度与分布测量：精确测量半导体材料中掺杂元素（如硼、磷、砷）的浓度及其在深度方向上的分布均匀性。

表面及界面污染分析：检测材料表面或不同层之间的界面处存在的污染元素种类与含量。

同位素比值分析：在某些配置下，可对样品中的同位素丰度比进行测量，用于地质或核材料研究。

氧、氮、氢等轻元素分析：在优化条件下，能够分析包括氧、氮、氢在内的轻元素，尽管其灵敏度通常低于金属元素。

材料均匀性评估：通过对样品不同点进行深度剖析，评估材料在横向及纵向上的成分均匀性。

扩散行为研究：通过分析特定元素在热处理或使用过程中的深度分布变化，研究其在材料中的扩散机理与速率。

检测范围

半导体晶圆与器件：用于硅、锗、砷化镓等半导体衬底及器件中杂质、掺杂剂和薄膜成分的分析。

金属与合金材料：适用于钢铁、高温合金、铝合金、钛合金等块体金属材料的体成分及表面改性层分析。

无机非金属材料：如玻璃、陶瓷、晶体等材料的成分剖析与杂质检测。

功能性薄膜与涂层：包括硬质涂层（TiN， DLC）、光学薄膜、耐磨耐腐蚀涂层等的成分与厚度分析。

高纯材料：对高纯金属、高纯石墨、高纯试剂等中的超痕量杂质进行严格检测。

太阳能电池材料：分析光伏材料（如CIGS， CdTe， 多晶硅）中的元素分布与杂质含量。

考古与文物鉴定：对古金属器物、玻璃制品等进行无损或微损的成分分析，辅助断代与溯源。

核材料与核燃料：用于核燃料元件、包壳材料等的成分分析与杂质监控。

地质与环境样品：可分析矿物、土壤等固体样品中的元素组成与分布。

生物医学涂层与植入体：如羟基磷灰石涂层、钛合金植入体表面改性层的成分与结构分析。

检测方法

直流辉光放电：最常用的模式，利用直流电压在低压惰性气体中产生稳定的等离子体，适用于导电性良好的样品。

射频辉光放电：通过射频电场耦合能量产生等离子体，可直接分析非导电样品（如玻璃、陶瓷），无需特殊制样。

脉冲辉光放电：采用脉冲式放电，可提高瞬时功率和离子产率，有助于改善深度分辨率并减少热效应。

恒流/恒压放电模式：通过控制放电电流或电压恒定，确保溅射速率稳定，从而获得准确的深度定量信息。

深度剖析模式：连续溅射样品表面并同步采集质谱信号，将信号强度随时间的变化转换为浓度随深度的变化。

定量分析方法：通常使用标准参考物质建立相对灵敏度因子进行定量，或采用无标样半定量分析。

溅射坑形貌校准：通过表面轮廓仪测量实际溅射坑的深度和形状，校正深度标尺，提高深度分辨率准确性。

多元素同时采集

信号强度-时间曲线积分：对特定元素在特定深度区间内的信号-时间曲线进行积分，计算该区域内的平均浓度或总量。

界面判定算法：利用元素信号强度的突变点或比值变化，结合数学算法（如导数法）精确判定薄膜层间的界面位置。

检测仪器设备

辉光放电离子源：仪器的核心部件，产生并维持稳定的惰性气体（通常为氩气）等离子体，用于溅射和原子化样品。

质谱分析器

四极杆质量分析器

双聚焦扇形磁场质谱仪

飞行时间质谱仪

高灵敏度离子检测系统

射频耦合与匹配网络

样品导入与真空系统

深度/溅射速率监控装置

计算机控制与数据处理系统

检测服务范围

1、指标检测：按国标、行标及其他规范方法检测

2、仪器共享：按仪器规范或用户提供的规范检测

3、主成分分析：对含量高的组分或你所规定的某种组分进行5~7天检测。

4，样品前处理：对产品进行预处理后，进行样品前处理，包括样品的采集与保存，样品的提取与分离，样品的鉴定以及样品的初步分析，通过逆向剖析确定原料化学名称及含量等共10个步骤;

5、深度分析：根据成分分析对采购的原料标准品做准确的定性定量检测，然后给出参考工艺及原料的推荐。最后对产品的质量控制及生产过程中出现问题及时解决。

合作客户展示

部分资质展示