试验箱电子元件迁移污染分析

检测项目

表面绝缘电阻（SIR）变化：监测在温湿偏置条件下，元件表面导电通路形成导致的绝缘性能下降。

离子迁移物成分分析：识别由电化学迁移形成的枝晶或腐蚀产物的具体化学组成，如氯离子、溴离子等。

污染物萃取液离子色谱分析：通过溶液萃取，定量分析元件表面可溶性阴阳离子污染物的含量。

电迁移失效定位：确定因金属离子（如银、铜）迁移导致短路或漏电的精确物理位置。

温湿度偏置（THB）测试后分析：评估元件在高温高湿加电应力试验后的性能衰减与污染状况。

硫化/氧化腐蚀产物分析：检测在含硫、氧等污染气氛中，元件金属引脚或焊点产生的腐蚀物。

有机挥发物（VOC）冷凝污染：分析试验箱内塑料、胶粘剂等释放的VOC在元件表面的冷凝与影响。

电化学迁移阈值电压/电流测定：测量引发离子迁移所需的最小电压或电流条件。

迁移形貌显微观察：对迁移产生的树枝状、苔藓状等特殊形貌进行显微观察与记录。

长期可靠性迁移趋势评估：基于加速试验数据，预测元件在长期使用中发生迁移污染的风险与趋势。

检测范围

印刷电路板（PCB）及焊盘：重点关注导线间、焊盘间的表面离子迁移及污染物残留。

芯片封装与引线框架：分析封装内部、键合点及引线脚处的迁移与腐蚀现象。

片式多层陶瓷电容器（MLCC）：检测端电极间因银离子迁移导致的内部短路失效。

连接器与接插件：评估触点金属在污染环境下的电化学迁移与接触可靠性。

厚膜/薄膜混合集成电路：分析微细导线与电阻膜在湿热条件下的性能退化。

半导体芯片表面与钝化层：检测芯片表面污染物诱导的铝导线腐蚀或离子污染。

导电胶与粘接材料：评估其中金属填料（如银粉）的迁移倾向及对绝缘的影响。

锡须与晶须生长：监测纯锡或高锡镀层在应力下自发产生的晶须及其迁移风险。

三防漆与敷形涂层：分析涂层本身及涂层下的污染物积聚与离子迁移行为。

系统级组装模块：对包含多种元件的复杂模块进行整体迁移污染水平评估。

检测方法

扫描电子显微镜/能谱分析（SEM/EDS）：对迁移区域进行高分辨率形貌观察和元素成分定性定量分析。

离子色谱法（IC）：精确测定元件表面萃取液中的阴离子（Cl-， NO3-， SO4-）和阳离子（Na+， K+， NH4+）含量。

傅里叶变换红外光谱（FTIR）：识别元件表面附着的有机污染物、树脂降解产物等有机成分。

X射线光电子能谱（XPS）：分析表面极薄层（纳米级）元素的化学态，用于研究腐蚀产物。

热脱附-气相色谱/质谱联用（TD-GC/MS）：对元件释放的挥发性有机污染物进行捕集、分离与鉴定。

光学显微与金相分析：通过切片、研磨等手段，观察元件内部及截面的迁移路径与污染状况。

电化学阻抗谱（EIS）：通过测量阻抗随频率的变化，评估涂层防护性能及基底腐蚀情况。

加速环境试验法：采用温湿度偏置、高加速应力试验（HAST）等手段，诱发并加速迁移过程。

表面洁净度测试（如罗氏溶液法）：通过电阻率变化定量评估印制板等表面的离子污染程度。

聚焦离子束（FIB）切片与成像：对特定迁移失效点进行纳米级精确定位和横截面制备分析。

检测仪器设备

高加速应力试验箱（HAST）：提供高温、高湿、高压环境，用于快速诱发迁移失效。

恒温恒湿试验箱：提供稳定可控的温度湿度环境，进行长期THB或稳态湿热测试。

扫描电子显微镜（SEM）：用于观测迁移枝晶、腐蚀坑等微观形貌的核心设备。

能谱仪（EDS）：与SEM联用，实现对观测微区元素的定性和半定量分析。

离子色谱仪：高灵敏度检测痕量级阴阳离子浓度的专用色谱仪器。

傅里叶变换红外光谱仪：用于快速鉴别有机污染物官能团和分子结构。

高精度绝缘电阻测试仪/源表：测量在环境应力下元件或试样绝缘电阻的微小变化。

金相试样制备系统：包括切割机、镶嵌机、研磨抛光机等，用于制备观测截面。

热脱附-气相色谱质谱联用仪：实现对挥发性和半挥发性有机物的全面分析。

X射线光电子能谱仪：用于表面元素化学态分析的精密表面分析仪器。

检测服务范围

1、指标检测：按国标、行标及其他规范方法检测

2、仪器共享：按仪器规范或用户提供的规范检测

3、主成分分析：对含量高的组分或你所规定的某种组分进行5~7天检测。

4，样品前处理：对产品进行预处理后，进行样品前处理，包括样品的采集与保存，样品的提取与分离，样品的鉴定以及样品的初步分析，通过逆向剖析确定原料化学名称及含量等共10个步骤;

5、深度分析：根据成分分析对采购的原料标准品做准确的定性定量检测，然后给出参考工艺及原料的推荐。最后对产品的质量控制及生产过程中出现问题及时解决。

合作客户展示

部分资质展示