芯片粘接强度试验

检测项目

剪切强度测试：评估芯片与基板或框架间粘接层在平行于粘接面方向上的最大承载能力，是最核心的强度指标。

拉伸强度测试：测量芯片与基板在垂直于粘接面方向上被拉离时所需的力，用于评估抗剥离性能。

推力测试：使用推刀垂直于芯片侧面施加力，直至粘接失效，是评估芯片粘接可靠性的常用破坏性方法。

高温剪切强度：在高温环境下（如150°C, 175°C, 200°C等）进行剪切测试，考核粘接材料在高温下的性能保持率。

低温剪切强度：在低温环境下进行测试，评估粘接层在热应力下的脆性及可靠性。

温度循环后强度测试：样品经历规定次数的温度循环后，再进行强度测试，考核热疲劳对粘接界面的影响。

高温高湿存储后强度测试：样品在高温高湿环境下存储一定时间后测试，评估吸湿对粘接材料性能的劣化作用。

压力锅试验后强度测试：样品经高压蒸煮试验后测试，加速模拟湿气渗透对粘接界面的腐蚀和破坏。

界面失效模式分析：对强度测试后的失效界面进行观察分析，确定失效发生在芯片、粘接材料还是基板内部或界面。

粘接层空洞率关联分析：结合X射线检测等结果，分析粘接层内部空洞的面积、分布与最终粘接强度的相关性。

检测范围

半导体芯片与引线框架：适用于传统封装中采用导电胶或焊料将硅芯片粘接到铜合金引线框架上的工艺。

芯片与陶瓷基板：针对高功率器件、射频模块等应用中，芯片直接粘接到氧化铝、氮化铝等陶瓷基板上的连接。

芯片与有机基板：适用于先进封装中，芯片通过微凸点或底部填充材料粘接到BT、ABF等有机基板上的结构。

芯片与金属散热基板：针对需要良好散热的功率模块，检测芯片与DBC或金属化绝缘基板间的粘接可靠性。

多芯片组件内部粘接：用于评估MCM、SiP等复杂模块内部，多个芯片与共用基板或中介层之间的粘接质量。

不同尺寸芯片：覆盖从毫米级到大尺寸功率芯片的粘接强度检测，需根据尺寸选择合适的测试方法和夹具。

不同粘接材料：包括导电银胶、非导电环氧胶、烧结银浆、软钎料、共晶焊料等多种粘接介质的强度评估。

晶圆级封装结构：针对WLCSP等晶圆级封装中，临时键合或永久键合的界面强度进行测试。

MEMS器件封装：适用于微机电系统器件中敏感结构与其封装盖板或基座之间的粘接强度检验。

光电芯片封装：用于激光器、探测器等光电子器件中，芯片与热沉或管座之间粘接界面的机械可靠性评估。

检测方法

推力测试法：使用精密推刀以恒定速度推动芯片侧面，记录最大推力值，是行业标准破坏性测试方法。

剪切测试法：使用剪切工具钩住芯片边缘，平行于基板方向施力直至失效，依据JEDEC JESD22-B117等标准。

拉伸测试法：使用专用夹具将芯片从基板上垂直拉离，测量拉脱力，适用于评估抗拉强度关键的场景。

四点弯曲法: 通过使带有芯片的基板发生弯曲，间接计算界面结合能或强度，适用于某些薄膜粘接结构。

<强>声扫显微镜检测法: 利用超声波扫描粘接界面，非破坏性地检测空洞、分层等缺陷，间接评估粘接质量。

<强>激光剥离法: 使用短脉冲激光照射界面，产生应力波使芯片剥离，通过高速摄影分析剥离过程计算结合强度。

检测服务范围

1、指标检测：按国标、行标及其他规范方法检测

2、仪器共享：按仪器规范或用户提供的规范检测

3、主成分分析：对含量高的组分或你所规定的某种组分进行5~7天检测。

4，样品前处理：对产品进行预处理后，进行样品前处理，包括样品的采集与保存，样品的提取与分离，样品的鉴定以及样品的初步分析，通过逆向剖析确定原料化学名称及含量等共10个步骤;

5、深度分析：根据成分分析对采购的原料标准品做准确的定性定量检测，然后给出参考工艺及原料的推荐。最后对产品的质量控制及生产过程中出现问题及时解决。

合作客户展示

部分资质展示