关断过电压检测

检测项目

集电极-发射极关断电压尖峰：检测IGBT或晶体管在关断瞬间，集电极与发射极之间出现的瞬时过电压峰值。

漏极-源极关断电压尖峰：检测MOSFET或SiC器件在关断瞬间，漏极与源极之间产生的电压过冲幅度。

阳极-阴极反向恢复过电压：检测二极管或晶闸管在反向恢复过程中，阳极与阴极两端承受的反向电压峰值。

桥臂中点电压振荡：检测逆变器桥臂上下管换流时，中点对地或对直流母线的电压振荡波形与幅值。

直流母线电压波动：检测功率器件关断时，因电流突变在直流母线寄生电感上引发的电压波动情况。

门极驱动回路感应电压：检测因高dv/dt通过米勒电容耦合至门极驱动回路的干扰或过电压。

吸收电路两端电压：检测RC、RCD等吸收电路在动作时两端的电压波形，评估其吸收效果。

关断电压上升率（dv/dt）：定量测量关断过程中电压从低电平上升到高电平的变化速率。

过电压持续时间：测量超过器件额定电压的过压脉冲的宽度，评估其对器件的应力。

重复性与非重复性关断过电压：区分在正常工作下周期性出现的过压尖峰与故障等异常情况下出现的单次高能过压。

检测范围

低压功率器件（<600V）：针对消费电子、低压变频器等应用中的MOSFET等器件的关断过压检测。

中压功率模块（600V-1700V）：覆盖工业变频器、新能源逆变器等主流IGBT模块的关断过电压测试范围。

高压功率器件（3300V及以上）：面向高压直流输电、大功率牵引等领域的HV-IGBT、IGCT的关断过压检测。

宽禁带半导体器件：针对SiC MOSFET和GaN HEMT等高速器件，其关断过电压频率更高、上升沿更陡。

二极管与整流桥：检测二极管在反向恢复过程中产生的关断型过电压应力。

交流侧端口过电压：检测因负载突变或开关操作在电机绕组、变压器端口引发的感应过电压。

直流侧端口过电压：检测直流母线、电容组端子因关断电流和寄生参数引起的过冲。

驱动板关键节点：检测驱动芯片输出端、门极电阻两端的电压，评估驱动回路完整性。

系统电磁兼容相关过电压

安全规范要求的绝缘测试电压：依据安规标准，检测设备在特定测试条件下承受的关断相关高压脉冲。

检测方法

高压差分探头直接测量法：使用高压差分探头直接连接功率端子，安全、精确地测量主电路对地电位差。

无源探头配合隔离方案测量：在确保电气隔离安全的前提下，使用无源探头配合隔离变压器或隔离放大器进行测量。

罗氏线圈间接计算法：通过罗氏线圈测量di/dt，结合回路寄生电感参数，间接计算关断过电压值。

光纤传输隔离测量法：利用光纤传输信号的电压传感器进行测量，实现高共模抑制比和完全电气隔离。

峰值保持电路捕获法：采用模拟峰值保持电路捕获瞬态过电压的峰值，便于用低速仪表记录。

示波器单次触发捕获：设置示波器为单次触发模式，捕捉非重复性或随机的关断过电压事件。

多通道同步测量分析：同步采集电压、电流及驱动信号，分析过电压与电流变化、驱动时序的因果关系。

热插拔测试法（Hot Swap）

双脉冲测试法（DPT）

在实际负载工况下进行在线监测

检测仪器设备

高压差分探头

高带宽数字示波器

电流探头（罗氏线圈/霍尔效应）

隔离放大器/信号调理器

检测服务范围

1、指标检测：按国标、行标及其他规范方法检测

2、仪器共享：按仪器规范或用户提供的规范检测

3、主成分分析：对含量高的组分或你所规定的某种组分进行5~7天检测。

4，样品前处理：对产品进行预处理后，进行样品前处理，包括样品的采集与保存，样品的提取与分离，样品的鉴定以及样品的初步分析，通过逆向剖析确定原料化学名称及含量等共10个步骤;

5、深度分析：根据成分分析对采购的原料标准品做准确的定性定量检测，然后给出参考工艺及原料的推荐。最后对产品的质量控制及生产过程中出现问题及时解决。

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