检测项目
铜含量检测：评估半导体硅片中铜杂质浓度，参数包括检测限0.1ppb，测量范围1-1000ppb。
铁含量检测：分析材料中铁离子残留量，参数包括精密度5%，检测下限0.5ppb。
镍含量检测：测定镍元素在化合物半导体中的分布，参数包括线性范围10-500ppb，相对标准偏差≤3%。
锌含量检测：量化锌杂质对电导率的影响，参数包括检测限0.2ppb，回收率90-110%。
铬含量检测：监测洁净室环境中铬污染，参数包括检出限0.3ppb，测量不确定度4%。
铝含量检测：评估铝在晶圆表面的吸附水平，参数包括检测限0.4ppb，动态范围5-1000ppb。
金含量检测：分析金杂质在半导体封装中的迁移，参数包括精密度2.5%，检测下限0.05ppb。
银含量检测：测定银离子在蚀刻液中的浓度，参数包括线性范围1-800ppb，相对误差≤3%。
铅含量检测：监控铅污染对器件可靠性的影响，参数包括检测限0.1ppb，测量重复性≤4%。
锡含量检测：评估锡在光刻胶中的残留量，参数包括检出限0.3ppb，准确度90-105%。
钴含量检测：分析钴在化学机械抛光液中的分布，参数包括测量范围2-1000ppb，精密度3.5%。
检测范围
硅晶圆：纯硅基片用于集成电路制造。
砷化镓晶圆：化合物半导体材料用于高频器件。
氮化镓材料：宽带隙半导体用于功率电子设备。
光刻胶：光敏聚合物用于半导体光刻工艺。
蚀刻液：化学溶液用于晶圆表面刻蚀。
晶圆清洗剂：溶剂用于去除表面杂质和污染物。
化学机械抛光液：研磨液用于平坦化晶圆表面。
半导体封装材料：环氧树脂或陶瓷用于保护芯片。
溅射靶材：金属材料用于薄膜沉积过程。
电子化学品：高纯试剂用于制造过程中的清洗和蚀刻。
高纯惰性气体：气体如氩气用于沉积和蚀刻环境。
检测标准
ASTME1251：用于电感耦合等离子体原子发射光谱法测定痕量元素。
ISO21084：半导体材料中杂质元素分析方法标准。
GB/T12690：高纯铝中痕量元素测定方法。
ASTMD1976：用于电感耦合等离子体质谱法测定水中金属。
GB/T12689：半导体硅材料化学分析方法。
ISO17294：水质电感耦合等离子体质谱法通则。
ASTMF1710：硅片表面金属污染测试标准。
GB/T32198：高纯试剂中杂质元素测定。
ISO11885：水质电感耦合等离子体原子发射光谱法标准。
GB/T12691：半导体材料痕量金属测定通用要求。
检测仪器
电感耦合等离子体质谱仪：高灵敏度质谱仪器，用于痕量金属元素定量分析至ppb级。
原子吸收光谱仪：光吸收原理仪器，用于特定金属浓度测量，检出限达ppb水平。
电感耦合等离子体原子发射光谱仪：等离子体激发光谱仪器，用于多元素同时分析，测量范围1-1000ppb。
总有机碳分析仪：燃烧氧化分析仪器，用于间接评估金属污染相关有机残留。
X射线荧光光谱仪：X射线激发仪器，用于非破坏性快速筛查表面金属污染。
检测服务范围
1、指标检测：按国标、行标及其他规范方法检测
2、仪器共享：按仪器规范或用户提供的规范检测
3、主成分分析：对含量高的组分或你所规定的某种组分进行5~7天检测。
4，样品前处理：对产品进行预处理后，进行样品前处理，包括样品的采集与保存，样品的提取与分离，样品的鉴定以及样品的初步分析，通过逆向剖析确定原料化学名称及含量等共10个步骤;
5、深度分析：根据成分分析对采购的原料标准品做准确的定性定量检测，然后给出参考工艺及原料的推荐。最后对产品的质量控制及生产过程中出现问题及时解决。
