检测项目
钠离子浓度检测：测定晶圆表面钠离子残留水平。检测范围0.01至100μg/cm²，精度±5%。
钾离子浓度检测：量化钾离子污染影响器件性能。检测范围0.005至50μg/cm²，检出限0.002μg/cm²。
钙离子浓度检测：分析钙离子沉积导致缺陷。检测范围0.01至80μg/cm²，精度±3%。
铁离子浓度检测：监控铁离子引起的氧化问题。检测范围0.005至60μg/cm²，灵敏度0.001μg/cm²。
氯离子浓度检测：评估氯离子腐蚀风险。检测范围0.02至100μg/cm²，精度±4%。
氟离子浓度检测：识别氟离子刻蚀残留。检测范围0.01至70μg/cm²，检出限0.003μg/cm²。
硝酸根离子浓度检测：测定硝酸盐污染源。检测范围0.005至50μg/cm²，精度±6%.
硫酸根离子浓度检测：分析硫酸盐残留对电性能影响。检测范围0.01至90μg/cm²，灵敏度0.002μg/cm²。
溴离子浓度检测：监控卤素离子迁移。检测范围0.008至40μg/cm²，精度±5%.
总金属离子浓度检测：综合测量金属污染物总量。检测范围0.05至200μg/cm²，检出限0.01μg/cm²。
检测范围
硅晶圆：基础半导体材料表面离子残留分析。
砷化镓晶圆：化合物半导体离子污染检测。
碳化硅晶圆：宽禁带材料表面污染物测量。
氧化镓晶圆：新兴半导体材料离子残留评估。
蓝宝石晶圆：衬底材料污染物定量。
光刻胶涂层晶圆：光刻制程后离子析出测试。
离子注入后晶圆：注入工艺残留污染物检测。
CVD沉积后晶圆：化学气相沉积薄膜离子分析。
蚀刻后晶圆：刻蚀制程表面污染物识别。
清洗后晶圆：净化工艺离子残留验证。
检测标准
ASTM F121-19
ISO 14644-1
GB/T 16242-2008
SEMI C23
GB/T 33345-2016
ISO 12885
ASTM D4327
GB/T 18883-2002
SEMI F21
ISO 17025
检测仪器
离子色谱仪：分离定量多种离子污染物。功能包括色谱分离和浓度计算。
原子吸收光谱仪：检测金属离子残留。功能包括元素定量和谱图分析。
电感耦合等离子体质谱仪：高灵敏度痕量离子测量。功能包括多元素同时检测和低检出限。
扫描电子显微镜：观察表面污染形态。功能包括微观形貌成像和元素映射。
X射线荧光光谱仪：非破坏性元素分析。功能包括快速扫描和定量报告。
检测服务范围
1、指标检测：按国标、行标及其他规范方法检测
2、仪器共享：按仪器规范或用户提供的规范检测
3、主成分分析：对含量高的组分或你所规定的某种组分进行5~7天检测。
4，样品前处理：对产品进行预处理后，进行样品前处理，包括样品的采集与保存，样品的提取与分离，样品的鉴定以及样品的初步分析，通过逆向剖析确定原料化学名称及含量等共10个步骤;
5、深度分析：根据成分分析对采购的原料标准品做准确的定性定量检测，然后给出参考工艺及原料的推荐。最后对产品的质量控制及生产过程中出现问题及时解决。
