检测项目
电子温度：对等离子体中电子热运动剧烈程度的衡量。检测参数包括能量分布函数测量精度±0.1eV。
等离子体密度：反映单位体积内的等离子体粒子数量。检测参数为测量范围10¹⁰ - 10¹⁴cm⁻³。
悬浮电位：等离子体中电极相对于周围等离子体的电势差。检测参数有测量精度±5V。
空间电位：沿探测方向上的电势分布。检测参数包括空间分辨率0.1mm。
离子饱和电流：探针收集到的饱和离子电流。检测参数为测量范围1nA - 100μA。
电子饱和电流：探针收集到的饱和电子电流。检测参数是测量范围1nA - 100μA。
等离子体电势涨落：反映等离子体电势的不稳定程度。检测参数为均方根测量精度±0.05V。
电子能量分布函数：描述电子在不同能量区间的分布情况。检测参数包括能量测量范围0 - 100eV。
离子能量分布函数：体现离子在不同能量范围的分布。检测参数为能量测量范围0 - 500eV。
中性粒子密度：单位体积内的中性粒子数量。检测参数是测量范围10¹² - 10¹⁶cm⁻³。
检测范围
半导体制造设备：用于半导体芯片制造过程中的等离子体刻蚀等工艺相关检测。
等离子体显示屏：针对其内部等离子体放电特性进行检测。
材料表面处理设备：评估表面处理过程中等离子体对材料表面的作用效果。
气体放电灯：检测其放电过程中的等离子体参数。
静电除尘设备：检测除尘过程中涉及的等离子体相关参数。
磁约束聚变装置：对其中的等离子体放电进行相关检测。
等离子体喷涂设备：检测等离子体喷涂过程中的等离子体特性。
半导体检测设备：用于半导体材料的等离子体相关特性检测。
等离子体空气净化器：检测净化过程中等离子体的相关参数。
射频等离子体发生器：对其产生的等离子体进行特性检测。
检测标准
依据ASTM E523 - 07(2013) JianCe Test Method for Measuring Plasma Parameters by Langmuir Probe。
GB/T 16927.1 - 2011 高电压试验技术 第1部分：一般定义及试验要求。
ISO 14607:2009 Non - destructive testing - Acoustic emission testing - General principles。
ASTM D1868 - 13 JianCe Test Method for Detection and Measurement of Partial Discharge Pulses in Evaluating Insulation Systems。
GB/T 4587 - 2008 半导体器件 第12部分：分立器件 第2篇：整流二极管。
检测仪器
静电计：用于测量微弱电荷或电流信号，在朗缪尔探针分布测绘检测中可精确测量离子饱和电流、电子饱和电流等微弱电流参数。
高阻计：能够测量极高电阻，在检测中可用于获取与等离子体特性相关的电阻信息，辅助分析等离子体的导电性能等。
示波器：用于观察和测量电信号的波形，在本检测中可对等离子体电势涨落等电信号的变化进行实时监测和记录。
数据采集卡：负责将检测到的模拟信号转换为数字信号，在朗缪尔探针分布测绘检测中起到数据传输和转换的作用，以便后续的数据处理和分析。
信号发生器：产生各种信号，在检测中可用于激励探针或者模拟不同的等离子体环境，以获取更全面的检测数据。
检测服务范围
1、指标检测：按国标、行标及其他规范方法检测
2、仪器共享：按仪器规范或用户提供的规范检测
3、主成分分析：对含量高的组分或你所规定的某种组分进行5~7天检测。
4，样品前处理：对产品进行预处理后，进行样品前处理，包括样品的采集与保存，样品的提取与分离，样品的鉴定以及样品的初步分析，通过逆向剖析确定原料化学名称及含量等共10个步骤;
5、深度分析：根据成分分析对采购的原料标准品做准确的定性定量检测，然后给出参考工艺及原料的推荐。最后对产品的质量控制及生产过程中出现问题及时解决。
