芯片失效分析先进工艺筛片分析(DPA)检测

检测项目

光学显微镜检查：表面缺陷目视分析，分辨率优于0.5μm，放大倍率50x-1000x

扫描电子显微镜(SEM)分析：微观形貌成像，放大范围10x-300,000x，分辨率达1nm

透射电子显微镜(TEM)分析：原子级结构表征，加速电压80-300kV，点分辨率0.2nm

X射线透视成像：内部结构无损检测，分辨率10μm，电压范围20-160kV

声学显微镜检查：分层缺陷探测，频率范围10-230MHz，扫描精度5μm

聚焦离子束(FIB)切割：精密截面制备，离子束电流1pA-65nA，定位精度1μm

能谱分析(EDS)：元素组分定性定量，检测限0.1wt%，能量分辨率129eV

二次离子质谱(SIMS)：痕量杂质分析，深度分辨率5nm，检出限1ppm

电性能测试：I-V特性测量，电压范围±200V，电流精度0.1%

热分析：热膨胀系数评估，温度范围-150°C至600°C，升温速率0.1-20°C/min

红外显微镜检查：热分布成像，波长范围3-5μm，温度分辨率0.1°C

拉曼光谱分析：材料结构鉴定，光谱分辨率1cm⁻¹，激光波长532nm

离子研磨制备：样品抛光处理，离子能量1-8keV，表面粗糙度<0.1μm

封装完整性测试：密封性验证，氦检漏率<1×10⁻⁸ atm·cc/s

焊接点强度测试：剪切力测量，力范围0-50kgf，精度±1%

检测范围

集成电路(IC)芯片：逻辑和微处理器单元，用于计算控制应用

存储器件：DRAM和Flash存储器，支持数据存储功能

微电子机械系统(MEMS)：加速度传感器和陀螺仪，用于运动检测

射频器件：功率放大器和滤波器，适用于通信系统

功率半导体：IGBT和MOSFET，用于电能转换控制

光电器件：LED和激光二极管，涉及光学信号处理

封装材料：环氧树脂和陶瓷基板，提供机械保护

焊接点：焊球和凸点，实现电气互连

互连线：铜线和铝线，构成电路连接路径

钝化层：SiN和SiO2薄膜，防止环境腐蚀

粘合线：金线和铜线，用于芯片键合

基板材料：FR4和陶瓷，支撑电子组件

热界面材料：导热膏和垫片，优化散热性能

保护涂层：聚酰亚胺和环氧，增强耐久性

检测标准

依据MIL-STD-883 Method 5009进行破坏性物理分析

ISO 14647微电子学失效分析通用规范

GB/T 2828.1计数抽样检验程序

ASTM E3金相试样制备标准指南

JEDEC JESD22-A101稳态温度湿度偏置测试

IEC 60749半导体器件环境试验方法

GB/T 4937半导体器件机械和气候试验

IPC TM-650印制板测试方法

SEMI M1硅单晶抛光片规范

DIN EN ISO 9001质量管理系统要求

ANSI/ESD S20.20静电放电控制程序

GB/T 26125电子电气产品有害物质检测

ISO 17025检测和校准实验室能力要求

检测仪器

高分辨率扫描电子显微镜：提供纳米级表面成像，用于缺陷定位和形貌分析

精密聚焦离子束系统：实现亚微米级样品切割，用于TEM薄片制备和电路修复

多轴X射线检测仪：执行无损内部扫描，用于焊接点空洞和裂纹识别

超声波声学显微镜：探测内部界面缺陷，用于分层和脱粘评估

能谱分析仪：进行元素成分定性定量，用于污染源和材料组成鉴定

热性能测试台：测量热膨胀和应力分布，用于热失效机制研究

电性参数测量系统：分析I-V和C-V特性，用于开路短路故障诊断

红外热成像仪：监控温度场变化，用于热点和热管理优化

检测服务范围

1、指标检测：按国标、行标及其他规范方法检测

2、仪器共享：按仪器规范或用户提供的规范检测

3、主成分分析：对含量高的组分或你所规定的某种组分进行5~7天检测。

4，样品前处理：对产品进行预处理后，进行样品前处理，包括样品的采集与保存，样品的提取与分离，样品的鉴定以及样品的初步分析，通过逆向剖析确定原料化学名称及含量等共10个步骤;

5、深度分析：根据成分分析对采购的原料标准品做准确的定性定量检测，然后给出参考工艺及原料的推荐。最后对产品的质量控制及生产过程中出现问题及时解决。

合作客户展示

部分资质展示