GB/T 1551-2021硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法

中国标准分类号

(CCS)H21

国际标准分类号

(ICS)77.040

发布日期

2021-05-21

实施日期

2021-12-01

主管部门

国家标准化管理委员会

归口单位

全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会

发布单位

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会

本文件按照GB/T 1.1 2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起卓规则》的规定起草。

本文件代替GB/T 1551 2009《硅单品电阻率测定方法》，与GB/T 1551 2009相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：a)更改了古排四探针法的适用范围(见第1章，2009年版的第1章);b)“范围”中增加了“硅单晶其他范围电阻率的测试可参照本文件进行”(见第1章);c)增加了规范性引用文件GB/T 14264(见第2章);d)增加r“术语和定义”(见第3章);e)更改了测试环境温度的要求(见第4章，2009年版的第2章、第13章);f)更改了“干扰因素”中光照对测试结果的影响(见5.1，2009年版的3.1，14.1);g)增加了少数载流子注入对测试结果具体影响的干扰因素(见5.3);h)更改了“干扰因素”中温度对测试结果的影响(见5.4，2009年版的3.4，14.4);i)增加了探针振动、探针头类型对测试结果影响的干扰因素(见5.5，5.6);j)增加了直排四探针法测试时样品发热、探针与样品接触的位置对测试结果影响的干扰因素[见

5.7a)，5.7c)];k)增加了直流两探针法测试时样品电阻率不均匀、存在轻微裂痕或其他机械损伤、导电类型不唯对测试结果影响的干扰因素(见5.8);

1)删除了直流两探针法测试干扰因素中探针间距的内容(见2009年版的14.6)

m)更改了直排四探针法的测试原理(见6.1.2009年版的第4章);n)增加了直排四探针法中“试剂和材料”(见6.2);

0)更改了直排四探针法中对针尖形状和初始标称半径的要求「见6.3.1a)，2009年版的5.1.17

p)更改了直排四探针法中标准电阻的要求[见6.3.2c)，2009年版的5.2.4];g)更改了直排四探针法中散热器的要求(见6.3.4，2009年版的5.4);r)更改了直排四探针法中制样装置的要求(见6.3.5，2009年版的5.5);s)更改了直排四探针法中厚度测试仪的要求(见6.3.6，2009年版的5.6);t)删除了直排四探针法中超声波清洗器、化学实验室器具的要求(见2009年版的5.13，5.14);u)更改了直排四探针法中样品表面处理的描述(见6.4.1，2009年版的6.1);v)增加了电阻率大于3000 2.cm样品对应的推荐圆片样品测试电流值(见表2，2009年版的表2);w)删除了不同电阻率样品对应的测试电流(见2009年版的表2);

x)更改了直排四探针法中电学测试装置的要求(见6.5.1.6，2009年版的7.1.6);y)更改了直排四探针法中确定探针间距用材料的要求(见6.5.2.1，2009年版的7.2.1);

2)删除了直排四探针法测试中样品清洗、干燥的过程(见2009年版的7.3.1);aa)删除了直排四探针法测试巾对于圆片试样的特殊要求(见2009年版的7.3.2.7.3.3);bb)删除了直排四探针法测试圆片时探针阵列位置的要求(见2009年版的7.3.4);cc)更改了直排四探针法测量组数的要求(见6.5.3.7.2009年版的7.3.8);dd)更改了直排四探针法测试精密度的内容(见6.7，2009年版的第9章);ee)更改了直排四探针法的测试原理(见7.1，2009年版的第15章);

ff)删除了直流两探针法“试剂”中的丙酮、乙醇(见2009年版的16.2、16.3);gg)更改了直流两探针法中欧姆接触材料和密料的要求(见7.2.2，7.2.3，2009年版的16.4、16.5);hh)增加了直流两探针法中显微镜放大倍数的要求(见7.3.5);ii)删除了古流两探针法中的化学实验室设备(见2009年版的17.7);jj)删除了直流两探针法“试样制备”中对晶体导电类型的要求(见2009年版中的18.1);k)更改了直流两探针法在第二测量道上测试的条件(见7.4.2.7.5.3.10，2009年版的18.2、

19.3.10)

11)更改了直流两探针法中样品表面处理的描述(见7.4.3，7.4.4，2009年版的18.3，18.4);mm)更改了直流两探针法测试设备适用性检查中模拟电阻平均值R，的要求(见7.5.2.2.2009年版的19.2.2.3);nn)更改(古流两探针法测试精密度的内容(见7.7，2009年版的第21章)

请注意本文件的某此内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)和全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC2)共同提出并归口本文件起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公可、有研半导体材料有限公司、广州市昆德科技有限公司、青海芯测科技有限公司、浙江海纳半导体有限公司、乐山市产品质量监督检验所、中国计量科学研究院、业洲硅业(青海)股份有限公司、浙江金瑞泓和技股份有限公司、开化县检验检测研究院、南京国盛电子有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公可新能源分公司、义乌力迈新材料有限公司。

本文件主要起草人：刘立娜、刘兆枫、何短坤、刘刚、杨素心、孙燕、高英、王昕、梁洪、潘金平、楼春兰、宗冰、李慎重、潘文宾、蔡丽拖、王志强、皮坤林。

本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为：

1979年首次发布为GB 1551 1979：

1995年第一次修订时，并入了GB 5253 1985《错单品电阻率直流两探针测量方法》的内容;

2009年第二次修订时，并入了GB/T 1552 1995《硅、错单品电阻率测定直排四探针法》的内容(GB/T 1552 1995的历次版本发布情况为：GB 1552 1979《硅单晶电阻率直流四探针测量方法》、GB/T 1552 1995《硅、错单品电阻率测定直排四探针法》，其中GB/T 1552 1995代替GB 1552 1979，GB 5251 1985，GB 6615 1986)，并删除了错单晶电阻率测试方法的内容：本次为第三次修订。

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