红外光谱法硅单晶碳氧检测

检测项目

间隙氧浓度、替位碳浓度、氧沉淀密度、碳-氧复合体含量、热施主浓度、新施主浓度、氧热稳定性系数、碳分布均匀性、氧团簇尺寸分布、氧沉淀形态分类（板状/针状/球状）、碳化硅夹杂物含量、氮-氧复合缺陷浓度、辐照缺陷诱导氧迁移率、氢致氧扩散系数、快速退火后氧再分布状态、晶体生长条纹中的碳偏析度、外延层界面氧累积量、抛光片表面氧化层厚度、离子注入后氧空位浓度、高温退火后碳析出量、光致发光淬灭关联氧含量、应力诱导氧重排指数、晶体位错处的氧钉扎效应、多晶硅原料残留碳总量、CZ硅单晶轴向氧梯度分布、FZ硅单晶径向碳均匀性、重掺砷/磷/硼基体中的补偿碳浓度、太阳能级硅片光衰相关氧复合中心密度。

检测范围

直拉法(CZ)生长硅单晶锭、区熔法(FZ)制备高纯硅棒、(100)/(111)晶向抛光片、(110)切割薄片、(311)异质外延衬底片、重掺磷n+型衬底片、重掺硼p++型外延基板片、(100)偏角4切割片、(111)偏角0.5抛光片、(110)双面研磨片、(100)SOI顶层硅膜片、(111)应变硅异质结材料、(100)低缺陷密度EPI片、(110)功率器件用厚膜衬底片、(111)MEMS传感器用双抛片、(100)DRAM存储电路用测试片、(110)IGBT模块用终端结构片、(111)CMOS图像传感器基板片、(100)太阳能电池用绒面处理片、(110)射频器件用高阻衬底片、(111)蓝宝石异质外延过渡层片、(100)三维封装TSV通孔测试片、(110)氮化镓外延用缓冲层片、(111)碳化硅异质集成过渡片、(100)量子点器件用超薄硅膜片、(110)太赫兹探测器用高迁移率衬底片、(111)光子晶体模板用图案化基板片、(100)柔性电子用超薄剥离衬底片。

检测方法

傅里叶变换红外光谱法(FTIR)：基于双光束干涉原理测量300-1500cm⁻波段特征吸收峰，采用低温恒温附件消除热背景干扰。
低温红外光谱法：在10K液氦环境下测试77-400cm⁻波段振动模式，增强氧沉淀低温声子谱分辨率。
偏振红外光谱法：利用线偏振光分析不同晶向缺陷态的各向异性吸收特性。
二次离子质谱联用法(SIMS-FTIR)：结合深度剖析技术建立三维杂质分布模型。
变温退火分析法：通过300-1200℃阶梯退火研究氧沉淀动力学过程。
双差分谱处理技术：采用参考样扣除本征吸收背景的数学解析方法。
洛伦兹多峰拟合算法：对1107cm⁻(Oi)、605cm⁻(Cs)特征峰进行高斯-洛伦兹卷积分解。
绝对校准因子法：依据ASTMF1188标准建立吸收系数与浓度的定量关系。

检测标准

ASTMF121-2020硅中间隙氧含量的红外吸收测试方法
ASTMF123-2019硅中替位碳浓度的红外测定规程
GB/T1558-2021半导体硅材料中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T4059-2021硅晶体中代位碳含量的红外光谱分析法
ISO13947:2013半导体材料-红外光谱法测定硅中氧沉淀密度
SEMIMF1188-0821300mm硅片中氧分布均匀性的测试指南
JISH0605:2018硅单晶中碳浓度的傅里叶变换红外光谱测定方法
DIN50438-1:2015半导体技术材料的测试-第1部分：红外光谱法测定硅中的氧和碳
IEC60749-28:2018半导体器件-机械和环境试验方法-第28部分：基于FTIR的晶圆污染分析
SJ/T11498-2015太阳能级多晶硅中间隙氧含量的测试方法

检测仪器

傅里叶变换红外光谱仪：配备液氮冷却MCT探测器和金刚石ATR附件，分辨率优于0.5cm⁻。
低温恒温样品室：采用闭循环氦制冷系统实现10-300K精确控温。
偏振调制附件：集成ZnSe偏振器和步进电机旋转台实现全角度偏振测量。
高温原位反应池：石英窗口耐温达1200℃的真空退火联用装置。
微区聚焦系统：配备15倍Cassegrain物镜实现50μm空间分辨率扫描。
全反射衰减附件(ATR)：采用Ge晶体棱镜进行表面污染层无损检测。
自动样品定位台：XYZ三轴电动位移平台配合激光定位系统。
低温真空样品架：集成液氦杜瓦的真空密闭测量腔体。
快速扫描干涉仪：配备高速ADC实现毫秒级时间分辨光谱采集。

检测服务范围

1、指标检测：按国标、行标及其他规范方法检测

2、仪器共享：按仪器规范或用户提供的规范检测

3、主成分分析：对含量高的组分或你所规定的某种组分进行5~7天检测。

4，样品前处理：对产品进行预处理后，进行样品前处理，包括样品的采集与保存，样品的提取与分离，样品的鉴定以及样品的初步分析，通过逆向剖析确定原料化学名称及含量等共10个步骤;

5、深度分析：根据成分分析对采购的原料标准品做准确的定性定量检测，然后给出参考工艺及原料的推荐。最后对产品的质量控制及生产过程中出现问题及时解决。

合作客户展示

部分资质展示