检测项目
等离子体密度：射频功率0-5000W范围内测量离子浓度，精度±5%
刻蚀均匀性：300mm晶圆表面65点扫描测试，偏差≤±3%
选择比检测：SiO₂/Si材料刻蚀速率比测量，精度0.01
残留气体分析：质谱仪监测反应腔体F-/Cl-离子浓度
电极温度稳定性：-50℃至300℃温控系统响应测试
射频匹配效率：13.56MHz匹配网络反射率＜1%
颗粒污染计数：0.1-5μm粒径分布统计，每晶圆≤20颗粒
侧壁角度测量：SEM成像分析刻蚀剖面89°-91°垂直度
刻蚀终点判定：OES光谱556nm特征波长检测灵敏度0.1%
真空泄漏率：10-7Torr基础压力下泄漏＜5×10-9mbar·L/s
反应腔体洁净度：XPS表面分析C/O原子比＜0.05
气体流量精度：MFC控制误差±0.1sccm
检测范围
硅基刻蚀设备：逻辑芯片栅极刻蚀工艺验证
介质刻蚀系统：TSV通孔侧壁粗糙度控制
化合物半导体设备：GaN/AlGaN异质结构刻蚀
MEMS制造设备：硅深槽刻蚀深宽比50:1验证
光掩模刻蚀机：Cr/MoSi薄膜选择比测试
Ⅲ-Ⅴ族材料刻蚀：InP激光器结构斜面控制
金属互连刻蚀：Cu/TaN阻挡层界面分析
OLED显示刻蚀：RGB像素阵列均匀性检测
功率器件刻蚀：SiC沟槽栅极形貌表征
磁存储器刻蚀：CoFeB/Ta叠层侧壁角度控制
生物芯片刻蚀：微流道深度一致性测试
光伏电池刻蚀：PERC电池背钝化层开口检测
检测标准
SEMI E10-1101设备可靠性验证标准
ASTM F1391等离子体密度测试规范
ISO 14644-1洁净室颗粒控制标准
GB/T 30276-2013半导体设备真空检测方法
IEC 60749-25半导体器件机械应力试验
JESD22-A110D温度循环测试标准
GB/T 26111-2010微电子工艺设备通用规范
SEMI F47-0706电压暂降抗扰度标准
ISO 9013热切割质量评定标准
ASTM E112晶粒度测定方法
检测仪器
四极质谱仪：实时监测反应腔体气体成分，分辨率0.1amu
激光干涉终点探测器：1550nm波长刻蚀深度实时监控，精度±2nm
扫描电子显微镜：15kV加速电压下刻蚀形貌三维重构
椭偏仪：薄膜厚度测量范围1-2000nm，精度±0.1nm
原子力显微镜：表面粗糙度Ra检测分辨率0.1nm
辉光放电光谱仪：等离子体激发态原子浓度分析
表面轮廓仪：台阶高度测量范围0.5nm-1mm
残余气体分析仪：10-10Torr检出限真空系统检测
射频功率计：0.1-100MHz频率范围功率测量误差±1%
热像仪：电极温度分布成像，空间分辨率0.1℃
检测服务范围
1、指标检测：按国标、行标及其他规范方法检测
2、仪器共享：按仪器规范或用户提供的规范检测
3、主成分分析：对含量高的组分或你所规定的某种组分进行5~7天检测。
4，样品前处理：对产品进行预处理后，进行样品前处理，包括样品的采集与保存，样品的提取与分离，样品的鉴定以及样品的初步分析，通过逆向剖析确定原料化学名称及含量等共10个步骤;
5、深度分析：根据成分分析对采购的原料标准品做准确的定性定量检测，然后给出参考工艺及原料的推荐。最后对产品的质量控制及生产过程中出现问题及时解决。
