等离子刻蚀机检测

检测项目

等离子体密度：射频功率0-5000W范围内测量离子浓度，精度±5%

刻蚀均匀性：300mm晶圆表面65点扫描测试，偏差≤±3%

选择比检测：SiO₂/Si材料刻蚀速率比测量，精度0.01

残留气体分析：质谱仪监测反应腔体F^-/Cl^-离子浓度

电极温度稳定性：-50℃至300℃温控系统响应测试

射频匹配效率：13.56MHz匹配网络反射率＜1%

颗粒污染计数：0.1-5μm粒径分布统计，每晶圆≤20颗粒

侧壁角度测量：SEM成像分析刻蚀剖面89°-91°垂直度

刻蚀终点判定：OES光谱556nm特征波长检测灵敏度0.1%

真空泄漏率：10^-7Torr基础压力下泄漏＜5×10^-9mbar·L/s

反应腔体洁净度：XPS表面分析C/O原子比＜0.05

气体流量精度：MFC控制误差±0.1sccm

检测范围

硅基刻蚀设备：逻辑芯片栅极刻蚀工艺验证

介质刻蚀系统：TSV通孔侧壁粗糙度控制

化合物半导体设备：GaN/AlGaN异质结构刻蚀

MEMS制造设备：硅深槽刻蚀深宽比50:1验证

光掩模刻蚀机：Cr/MoSi薄膜选择比测试

Ⅲ-Ⅴ族材料刻蚀：InP激光器结构斜面控制

金属互连刻蚀：Cu/TaN阻挡层界面分析

OLED显示刻蚀：RGB像素阵列均匀性检测

功率器件刻蚀：SiC沟槽栅极形貌表征

磁存储器刻蚀：CoFeB/Ta叠层侧壁角度控制

生物芯片刻蚀：微流道深度一致性测试

光伏电池刻蚀：PERC电池背钝化层开口检测

检测标准

SEMI E10-1101设备可靠性验证标准

ASTM F1391等离子体密度测试规范

ISO 14644-1洁净室颗粒控制标准

GB/T 30276-2013半导体设备真空检测方法

IEC 60749-25半导体器件机械应力试验

JESD22-A110D温度循环测试标准

GB/T 26111-2010微电子工艺设备通用规范

SEMI F47-0706电压暂降抗扰度标准

ISO 9013热切割质量评定标准

ASTM E112晶粒度测定方法

检测仪器

四极质谱仪：实时监测反应腔体气体成分，分辨率0.1amu

激光干涉终点探测器：1550nm波长刻蚀深度实时监控，精度±2nm

扫描电子显微镜：15kV加速电压下刻蚀形貌三维重构

椭偏仪：薄膜厚度测量范围1-2000nm，精度±0.1nm

原子力显微镜：表面粗糙度Ra检测分辨率0.1nm

辉光放电光谱仪：等离子体激发态原子浓度分析

表面轮廓仪：台阶高度测量范围0.5nm-1mm

残余气体分析仪：10^-10Torr检出限真空系统检测

射频功率计：0.1-100MHz频率范围功率测量误差±1%

热像仪：电极温度分布成像，空间分辨率0.1℃

检测服务范围

1、指标检测：按国标、行标及其他规范方法检测

2、仪器共享：按仪器规范或用户提供的规范检测

3、主成分分析：对含量高的组分或你所规定的某种组分进行5~7天检测。

4，样品前处理：对产品进行预处理后，进行样品前处理，包括样品的采集与保存，样品的提取与分离，样品的鉴定以及样品的初步分析，通过逆向剖析确定原料化学名称及含量等共10个步骤;

5、深度分析：根据成分分析对采购的原料标准品做准确的定性定量检测，然后给出参考工艺及原料的推荐。最后对产品的质量控制及生产过程中出现问题及时解决。

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