光耦检测

检测项目

光耦器件检测体系包含五大核心模块：输入特性参数测试（正向电压VF、反向电流IR）、输出特性参数测试（集电极-发射极电压VCEO、暗电流ICEO）、传输特性参数测试（电流传输比CTR、上升/下降时间tr/tf）、绝缘性能参数测试（隔离电压VISO、绝缘电阻RISO）以及可靠性测试（高温高湿试验、温度循环试验）。其中CTR参数的线性度与稳定性直接影响信号传输质量，需进行全温度范围（-40℃至+125℃）梯度测试。

检测范围

本检测规范适用于各类光电耦合器件：晶体管输出型（PC817系列）、可控硅输出型（MOC3063系列）、高速逻辑型（6N137系列）及IGBT驱动专用型（AQV214E系列）。覆盖DIP-4/6/8、SOP-4/6、SSOP-16等封装形式。特殊应用场景需扩展检测维度：医疗设备用光耦需增加EMC抗扰度测试；汽车电子用器件须通过AEC-Q101认证要求的机械冲击与振动试验。

检测方法

1. 正向电压VF测试：采用可编程直流电源（精度±0.1%）配合四线制数字万用表（6½位），按IF=10mA标称值施加输入电流，记录LED端压降

2. CTR动态测试：构建脉冲驱动电路（脉宽≤1μs），使用双通道示波器（带宽≥200MHz）同步捕获输入电流波形与输出端光敏管响应曲线

3. 隔离耐压试验：依据IEC 60664-1标准搭建测试平台，以500V/s速率升压至标称隔离电压的150%，维持60s监测漏电流（阈值≤1mA）

4. 高温老化试验：将样品置于恒温箱（温度精度±1℃），在最大额定结温TJmax条件下持续加载80%极限工作电流1000小时，每24小时记录CTR衰减率

检测仪器

• 半导体参数分析仪（Keysight B1500A）：用于精确测量输入/输出端I-V特性曲线

• 高压绝缘测试仪（Chroma 19032）：提供0-5kV可调直流高压源及pA级漏电流检测

• 瞬态热阻测试系统（T3Ster）：分析器件热特性与结构缺陷

• 光辐射测量模块（ILX Lightwave OMM-6810B）：量化LED发光强度与波长分布

• 环境应力筛选箱（ESPEC TABAI PL-3KPH）：实现温度循环（-65℃~150℃）与湿度控制（10%~98%RH）

所有仪器均通过CNAS校准认证，测量不确定度符合JJF 1059.1规范要求。

检测服务范围

1、指标检测：按国标、行标及其他规范方法检测

2、仪器共享：按仪器规范或用户提供的规范检测

3、主成分分析：对含量高的组分或你所规定的某种组分进行5~7天检测。

4，样品前处理：对产品进行预处理后，进行样品前处理，包括样品的采集与保存，样品的提取与分离，样品的鉴定以及样品的初步分析，通过逆向剖析确定原料化学名称及含量等共10个步骤;

5、深度分析：根据成分分析对采购的原料标准品做准确的定性定量检测，然后给出参考工艺及原料的推荐。最后对产品的质量控制及生产过程中出现问题及时解决。

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